特許
J-GLOBAL ID：201203060439594504
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-006723
公開番号（公開出願番号）：特開2012-151164
出願日： 2011年01月17日
公開日（公表日）： 2012年08月09日
要約：
【課題】高温動作によるヒートサイクルに対する耐久性を高めた半導体装置を提供する。【解決手段】ヒートスプレッダ2と、ヒートスプレッダ2上に半田層3を介して接合された半導体チップ4とを備え、半導体チップ4とともにヒートスプレッダ2がモールド樹脂によって樹脂封止された構成において、半導体チップの4配設領域を囲むように配設され、極性基を含み、曲げ強度およびガラス転移温度がモールド樹脂5よりも大きな樹脂材で構成されたガード1を備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
放熱基板と、
前記放熱基板の主面上に半田層を介して接合された少なくとも1つの半導体チップと、を備え、
前記少なくとも1つの半導体チップとともに前記放熱基板の前記主面がモールド樹脂によって樹脂封止された半導体装置であって、
前記放熱基板の前記主面において前記少なくとも1つの半導体チップの配設領域を囲むように配設され、極性基を含み、曲げ強度およびガラス転移温度が前記モールド樹脂よりも大きな樹脂材で構成されたガードを備えることを特徴とする、半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/28
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 23/34
H01L23/28 B
, H01L23/30 B
, H01L23/34 B
4M109AA01
, 4M109CA21
, 4M109DB04
, 4M109DB14
, 4M109EE02
, 5F136DA01
, 5F136DA27
