特許
J-GLOBAL ID：201003023367184350
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
高橋 省吾
, 稲葉 忠彦
, 村上 加奈子
, 中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-215473
公開番号（公開出願番号）：特開2010-050395
出願日： 2008年08月25日
公開日（公表日）： 2010年03月04日
要約：
【課題】半導体装置の外形を大きくすることなく、樹脂パッケージが硬化する時の放熱板の反りを抑制することができる半導体装置を得ることを目的とする。【解決手段】この発明に係る半導体装置は、放熱板6と、放熱板6の上面に固着された絶縁層12と、絶縁層12の上面に形成された配線パターン層9と、配線パターン層9上に実装された半導体素子4、5と、放熱板6上面の外周部に設けられた樹脂枠13とを備えている。更に、放熱板6の少なくとも一部、絶縁層12、配線パターン層9、半導体素子4、5、及び樹脂枠13は、熱可塑性樹脂により成形された樹脂パッケージ1で包囲されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
放熱板と、
この放熱板の上面に固着された絶縁層と、
この絶縁層の上面に形成された配線パターン層と、
この配線パターン層上に実装された半導体素子と、
前記放熱板の上面の外周部に設けられた樹脂枠と、
前記放熱板の少なくとも一部、前記絶縁層、配線パターン層、半導体素子、及び樹脂枠を包囲するように熱可塑性樹脂により成形された樹脂パッケージと、
を備えた半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/28
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L23/28 K
, H01L25/04 C
4M109AA01
, 4M109BA03
, 4M109CA02
, 4M109CA05
, 4M109DA07
, 4M109DB10
, 4M109EA03
, 4M109EC20
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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