特許
J-GLOBAL ID:201203061199404393

導電膜形成用材料およびこれを用いた導電膜の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 長谷川 芳樹 ,  清水 義憲 ,  平野 裕之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-210847
公開番号(公開出願番号):特開2012-069273
出願日: 2010年09月21日
公開日(公表日): 2012年04月05日
要約:
【課題】低温加熱(例えば300°C以下)によって良好な導電膜を形成可能な導電膜形成用材料、ならびに、これを用いた導電膜の形成方法を提供すること。【解決手段】ギ酸銀および炭素数1〜10の脂肪酸銀から選ばれる少なくとも1種の銀塩と、アミン化合物と、該銀塩および該アミン化合物が可溶な有機溶媒と、を含有する導電膜形成用材料を、基材上に塗布して塗膜を形成し、該塗膜を300°C以下の温度で処理する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ギ酸銀および炭素数1〜10の脂肪酸銀から選ばれる少なくとも1種の銀塩と、アミン化合物と、前記銀塩および前記アミン化合物が可溶な有機溶媒と、を含有する導電膜形成用材料。
IPC (4件):
H01B 13/00 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/28 ,  H05K 3/12
FI (5件):
H01B13/00 503C ,  H01B13/00 503Z ,  H01L21/288 Z ,  H01L21/28 301R ,  H05K3/12 610B
Fターム (11件):
4M104BB08 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  5E343BB25 ,  5E343BB72 ,  5E343BB76 ,  5E343DD02 ,  5E343DD12 ,  5E343ER33 ,  5E343GG02 ,  5G323AA03
引用特許:
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (2件)

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