特許
J-GLOBAL ID:201203061199404393
導電膜形成用材料およびこれを用いた導電膜の形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (3件):
長谷川 芳樹
, 清水 義憲
, 平野 裕之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-210847
公開番号(公開出願番号):特開2012-069273
出願日: 2010年09月21日
公開日(公表日): 2012年04月05日
要約:
【課題】低温加熱(例えば300°C以下)によって良好な導電膜を形成可能な導電膜形成用材料、ならびに、これを用いた導電膜の形成方法を提供すること。【解決手段】ギ酸銀および炭素数1〜10の脂肪酸銀から選ばれる少なくとも1種の銀塩と、アミン化合物と、該銀塩および該アミン化合物が可溶な有機溶媒と、を含有する導電膜形成用材料を、基材上に塗布して塗膜を形成し、該塗膜を300°C以下の温度で処理する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ギ酸銀および炭素数1〜10の脂肪酸銀から選ばれる少なくとも1種の銀塩と、アミン化合物と、前記銀塩および前記アミン化合物が可溶な有機溶媒と、を含有する導電膜形成用材料。
IPC (4件):
H01B 13/00
, H01L 21/288
, H01L 21/28
, H05K 3/12
FI (5件):
H01B13/00 503C
, H01B13/00 503Z
, H01L21/288 Z
, H01L21/28 301R
, H05K3/12 610B
Fターム (11件):
4M104BB08
, 4M104DD51
, 4M104DD78
, 5E343BB25
, 5E343BB72
, 5E343BB76
, 5E343DD02
, 5E343DD12
, 5E343ER33
, 5E343GG02
, 5G323AA03
引用特許:
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