半導体集積回路装置用バリア材の探索方法及び当該探索方法によって探索される半導体集積回路装置用バリア材

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-030514
公開番号（公開出願番号）：特開2012-169516
出願日： 2011年02月16日
公開日（公表日）： 2012年09月06日
要約：

【課題】従来のルテニウムバリア材と同様に優れた銅拡散の抑制効果を有し、供給性の点で問題がなく、比較的低コストの金属又はその金属を含む金属間化合物からなる新規な半導体集積回路装置用バリア材の探索方法及び当該探索方法によって探索される半導体集積回路用バリア材を提供する。【解決する手段】バリア膜若しくはバリア膜とシード膜からなる複合膜の上に銅配線層を有する半導体集積回路装置の前記バリア膜を構成するバリア材として、単位結晶格子の最近接原子間距離(DM)がルテニウムの単位結晶格子の最近接原子間距離(DRu)に近い領域、具体的には、オングストローム(Å)単位で-0.200Å<(DM-DRu)<0.12Åの関係にあって、かつ融点若しくは変態点が650ケルビン(K)以上である金属又は金属間化合物を選択することを特徴とする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

バリア膜若しくはバリア膜とシード膜からなる複合膜の上に銅配線層を有する半導体集積回路装置の前記バリア膜を構成するバリア材として、単位結晶格子の最近接原子間距離(DM)がルテニウムの単位結晶格子の最近接原子間距離(DRu)に近い領域にあって、かつ融点若しくは変態点が650ケルビン(K)以上である金属又は金属間化合物を選択することを特徴とする半導体集積回路用バリア材の探索方法。

IPC (3件)：

H01L 23/532 , H01L 21/320 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L21/88 R , H01L21/88 M

Fターム (25件)：

5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH15 , 5F033HH16 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ15 , 5F033JJ16 , 5F033JJ19 , 5F033KK01 , 5F033KK07 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK15 , 5F033KK16 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033RR04 , 5F033RR06

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-346478 出願人：株式会社日立製作所
電子部品及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-230963 出願人：株式会社東芝

引用文献：

審査官引用 (1件)

X線回折要論, 19800620, 新版, p. 466-467

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