特許

J-GLOBAL ID：201203062805606564

フリップチップ型半導体裏面用フィルム、及び、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム

発明者： 高本 尚英 ,  志賀 豪士 ,  浅井 文輝
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-163094
公開番号（公開出願番号）：特開2012-028404
出願日： 2010年07月20日
公開日（公表日）： 2012年02月09日
要約：

【課題】半導体素子を保護することができ、且つ、半導体素子の貼り剥がしを容易とするフリップチップ型半導体裏面用フィルムを提供する。【解決手段】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルム2であって、フリップチップ型半導体裏面用フィルムは、半導体素子の裏面に形成する際に半導体素子の裏面に対向しない側の表面粗さ(Ra)が、硬化前において、50nm〜3μmの範囲内であるフリップチップ型半導体裏面用フィルム。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであって、 前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムは、半導体素子の裏面に形成する際に半導体素子の裏面に対向しない側の表面粗さ(Ra)が、硬化前において、50nm〜3μmの範囲内であることを特徴とするリップチップ型半導体裏面用フィルム。

IPC (3件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/301

FI (2件)：

H01L23/30 D ,  H01L21/78 M

Fターム (4件)：

4M109AA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA26 ,  4M109DB17

引用特許：

審査官引用 (3件)

• チップ用保護膜形成用シート
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-379755   出願人：リンテック株式会社
• マーキング方法および保護膜形成兼ダイシング用シート
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-329418   出願人：リンテック株式会社
• チップ保護用フィルム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-220218   出願人：古河電気工業株式会社