特許

J-GLOBAL ID：201203063395790946

窒化物半導体装置

発明者： 蔵口 雅彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (17件)： 蔵田 昌俊 ,  高倉 成男 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-223173
公開番号（公開出願番号）：特開2012-079888
出願日： 2010年09月30日
公開日（公表日）： 2012年04月19日
要約：

【課題】窒化物半導体装置において、オン抵抗が小さく、オン電圧が小さく、逆方向リーク電流が小さい窒化物半導体ダイオードを提供する。【解決手段】窒化物半導体1,2上に形成されたカソード電極3、アノード電極4,5を有する窒化物半導体ダイオードにおいて、アノード電極4,5の周辺部に窒化物半導体を掘り込んだリセス構造6を有し、リセス構造内部には、アノード電極5が埋め込まれている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体上に形成されたカソード電極と、アノード電極と、を有する窒化物半導体装置において、前記アノード電極の周辺部に前記窒化物半導体を掘り込んで形成されたリセス構造と、このリセス構造の内部に、前記アノード電極が埋め込み形成されていることを特徴とする窒化物半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 27/095 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/41

FI (8件)：

H01L29/80 E ,  H01L29/91 H ,  H01L29/91 F ,  H01L29/80 L ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 F ,  H01L29/44 S

Fターム (22件)：

4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 整流器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-289626   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-181822   出願人：株式会社日立製作所