特許

J-GLOBAL ID：200903010666996616

整流器

発明者： ジョン・トワイナム
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 山崎 宏 ,  田中 光雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-289626
公開番号（公開出願番号）：特開2008-108870
出願日： 2006年10月25日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：

【課題】立ち上がり電圧の低い整流器を提供する。【解決手段】この整流器は、バリア層105とチャネル層103とがへテロ接合部を構成し、チャネル層103とバリア層105の境界の近くに2次元電子ガスチャネル104が生じる。ショットキゲート電極109はアノードオーミック電極107に接続されると共にアノードオーミック電極107上からバリア層105上に延在しバリア層105に形成されたリセス108の全体を覆っている。ショットキゲート電極109の影響によって印加電圧が無い状態でリセス108の直下の2次元電子ガスチャネル104が空乏化される。バリア層105にリセス108が形成されたことで、ゲート電極109の直下の2次元電子ガスチャネル104に電子が発生する閾値電圧が低くなり従来のショットキダイオードよりも立ち上がり電圧を低くできる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成される半導体チャネル層と、 上記半導体チャネル層上に形成されて上記半導体チャネル層とでヘテロ接合部を構成するバリア層と、 上記半導体チャネル層に接続されるアノードオーミック電極と、 上記半導体チャネル層に接続されるカソードオーミック電極と、 上記アノードオーミック電極に接続されると共に上記へテロ接合部の上に形成されたゲート電極と、 上記バリア層に形成されていると共に上記ゲート電極に全体が覆われたリセスとを備えることを特徴とする整流器。

IPC (2件)：

H01L 29/47 ,  H01L 29/872

FI (3件)：

H01L29/48 F ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 M

Fターム (14件)：

4M104AA01 ,  4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB33 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104EE06 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF16 ,  4M104GG03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-136704   出願人：ローム株式会社
• 整流素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-332514   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-214193   出願人：オリジン電気株式会社, 菅原文彦
• 窒化物系半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-269955   出願人：株式会社東芝