特許

J-GLOBAL ID：201203064856567515

半導体装置及びその製造方法

発明者： 森 岡 純
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 勝沼 宏仁 ,  佐藤 泰和 ,  川崎 康 ,  関根 毅 ,  赤岡 明 ,  大浦 裕美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-014270
公開番号（公開出願番号）：特開2012-156318
出願日： 2011年01月26日
公開日（公表日）： 2012年08月16日
要約：

【課題】特性バラツキを低減することができるような半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体装置は、ゲート絶縁膜を介して基板の表面を第1導電型チャネル領域から酸化膜の一部までを覆い、且つ、第1導電型チャネル領域と酸化膜との間に開口部を有するゲート電極と、この開口部下の基板に形成された第2導電型ドリフト領域の第2の部分とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板の一部に形成された第2導電型ソース領域と、 前記第2導電型ソース領域と分離されるようにして前記基板の一部に形成された第2導電型ドレイン領域と、 前記第2導電型ソース領域に隣接して、前記第2導電型ソース領域と前記第2導電型ドレイン領域との間の前記基板に形成された第1導電型チャネル領域と、 前記第2導電型ドレイン領域に隣接して、前記第1導電型チャネル領域と前記第2導電型ドレイン領域との間に形成された第2導電型ドリフト領域の第1の部分と、 前記第1導電型チャネル領域と分離されるようにして、前記第2導電型ドリフト領域の第1の部分の表面に埋め込まれた酸化膜と、 ゲート絶縁膜を介して前記基板の表面を前記第1導電型チャネル領域から前記酸化膜の一部までを覆い、且つ、前記第1導電型チャネル領域と前記酸化膜との間に開口部を備えるゲート電極と、 前記開口部下の前記基板に形成された前記第2導電型ドリフト領域の第2の部分とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (1件)：

H01L29/78 301D

Fターム (26件)：

5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AC21 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF51 ,  5F140BF54 ,  5F140BF60 ,  5F140BG37 ,  5F140BH02 ,  5F140BH14 ,  5F140BH17 ,  5F140BH30 ,  5F140BH41 ,  5F140BH43 ,  5F140BH45 ,  5F140BH47 ,  5F140BH49 ,  5F140BK13 ,  5F140CB01 ,  5F140CD08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-188058   出願人：松下電器産業株式会社
• パワーMISFET、半導体装置およびDC/DCコンバータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-352737   出願人：株式会社ルネサステクノロジ