特許

J-GLOBAL ID：201203065722186449

半導体装置

発明者： 渡邉 則之 ,  横山 春喜 ,  重川 直輝
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-137004
公開番号（公開出願番号）：特開2012-004283
出願日： 2010年06月16日
公開日（公表日）： 2012年01月05日
要約：

【課題】窒化物半導体を用いた半導体装置で良好なトンネル接合が形成できるようにする。【解決手段】III-V族窒化物半導体から成る第1導電型の第1半導体層101と、第1半導体層101の上に形成されたアンドープのIII-V族窒化物半導体から成る第2半導体層102と、第2半導体層102の上に形成されたIII-V族窒化物半導体から成る第2導電型の第3半導体層103とを少なくとも備える。加えて、第2半導体層102が、第1半導体層101と格子定数が異なる、また、第2半導体層102が、第1半導体層101とバンドギャップエネルギーが異なる、また、第2半導体層102が、第3半導体層103と格子定数が異なる、また、第2半導体層102が、第3半導体層103とバンドギャップエネルギーが異なる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

III-V族窒化物半導体からなる第1導電型の第1半導体層と、 この第1半導体層の上に形成されたアンドープのIII-V族窒化物半導体からなる第2半導体層と、 この第2半導体層の上に形成されたIII-V族窒化物半導体からなる第2導電型の第3半導体層と を少なくとも備え、 前記第2半導体層は、前記第1半導体層と格子定数が異なる第1条件、 前記第2半導体層は、前記第1半導体層とバンドギャップエネルギーが異なる第2条件、 前記第2半導体層は、前記第3半導体層と格子定数が異なる第3条件、 および 前記第2半導体層は、前記第3半導体層とバンドギャップエネルギーが異なる第4条件、 の少なくとも1つの条件が成立していることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (7件)：

5F151AA02 ,  5F151AA08 ,  5F151BA11 ,  5F151CB09 ,  5F151DA03 ,  5F151DA19 ,  5F151GA04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-314339   出願人：日亜化学工業株式会社
• 化合物半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-022685   出願人：信越半導体株式会社
• GaN系化合物半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-234390   出願人：株式会社東芝