特許
J-GLOBAL ID：200903041854119307

GaN系化合物半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
石 川 博 規

石 川 博 規 について

, 
磯 本 建 次

磯 本 建 次 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-234390
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074560
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 結晶性が極めて優れたGaN系化合物半導体層を形成することにより、発光特性や電気的特性の向上が図られたGaN系化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板と、前記基板上に設けられ、燐(P)および砒素(As)のうちの少なくともいずれかを含む化合物半導体からなるバッファ層と、前記バッファ層上に設けられたGaN系化合物半導体からなる発光層と、を備えたことを特徴とするものして構成することにより、基板とGaN系化合物半導体層の間で生ずる格子不整合に起因する歪みを緩和して、結晶性の良好なGaN系化合物半導体層からなる発光素子を提供することができる。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に設けられ、燐(P)および砒素(As)のうちの少なくともいずれかを含む化合物半導体からなるバッファ層と、前記バッファ層上に設けられたGaN系化合物半導体からなる発光層と、を備えたことを特徴とするGaN系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  C23C 16/34
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  C23C 16/34
引用特許：
審査官引用 (5件)
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