特許
J-GLOBAL ID:201203066809662430
間隙埋め込み用組成物、それを用いた間隙埋め込み方法及び半導体素子の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
飯田 敏三
, 宮前 尚祐
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-216660
公開番号(公開出願番号):特開2012-168503
出願日: 2011年09月30日
公開日(公表日): 2012年09月06日
要約:
【課題】半導体基板のダブルパターニング技術に適用される反転材料として特に適した組成物の提供をする。【解決手段】表面上に形成された感光性樹脂からなるパターン形状の間隙に埋め込む組成物であって、少なくともアルキルトリアルコキシシランを含むアルコキシシランを原料とする平均分子量が3000〜50000である加水分解縮合物と、溶媒として総炭素数7〜9のエーテル化合物及び/又は総炭素数6〜9のアルキルアルコール化合物とを含有する間隙埋め込み用組成物。【選択図】なし
請求項(抜粋):
表面上に形成された感光性樹脂からなるパターン形状の間隙に埋め込む組成物であって、少なくともアルキルトリアルコキシシランを含むアルコキシシランを原料とする重量平均分子量が3000〜50000である加水分解縮合物と、溶媒として総炭素数7〜9のエーテル化合物及び/又は総炭素数6〜9のアルキルアルコール化合物とを含有することを特徴とする間隙埋め込み用組成物。
IPC (3件):
G03F 7/40
, H01L 21/027
, G03F 7/075
FI (3件):
G03F7/40 511
, H01L21/30 568
, G03F7/075 521
Fターム (54件):
2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096EA06
, 2H096EA23
, 2H096FA01
, 2H096GA08
, 2H096HA05
, 2H096JA04
, 2H125AF17P
, 2H125AF18P
, 2H125AF36P
, 2H125AF38P
, 2H125AH04
, 2H125AH05
, 2H125AH08
, 2H125AH14
, 2H125AH15
, 2H125AH17
, 2H125AJ03X
, 2H125AJ04X
, 2H125AJ04Y
, 2H125AJ12Y
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ14Y
, 2H125AJ47X
, 2H125AJ48X
, 2H125AJ48Y
, 2H125AJ64Y
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ68X
, 2H125AM85N
, 2H125AM99P
, 2H125AN11N
, 2H125AN31N
, 2H125AN31P
, 2H125AN38P
, 2H125AN39N
, 2H125AN39P
, 2H125AN51P
, 2H125AN61P
, 2H125AN65P
, 2H125AN86P
, 2H125BA01P
, 2H125BA26P
, 2H125BA32P
, 2H125BA33P
, 2H125CA12
, 2H125CB12
, 2H125CC03
, 2H125CC15
, 2H125CD08N
, 2H125CD39
, 5F146LA18
, 5F146LA19
引用特許:
審査官引用 (2件)
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パターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-327488
出願人:東京応化工業株式会社
-
パターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-022685
出願人:信越化学工業株式会社
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