パターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 鈴木三義 , 五十嵐光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-327488
公開番号（公開出願番号）：特開2010-151924
出願日： 2008年12月24日
公開日（公表日）： 2010年07月08日
要約：

【課題】微細な反転パターンを、少ない工程数で、良好な形状で形成できるパターン形成方法を提供する。【解決手段】支持体上に、レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する工程(i)と、前記レジストパターンが形成された前記支持体上に、反転パターン形成用材料を塗布して前記レジストパターンの高さと同じかそれよりも薄い膜厚のパターン反転用被膜を形成する工程(ii)と、前記レジストパターンをエッチングにより除去し、反転パターンを形成する工程(iii)と、を備え、前記反転パターン形成用材料は、シリコン含有量が15質量%超のシロキサンポリマーを含有することを特徴とするパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

支持体上に、レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する工程(i)と、前記レジストパターンが形成された前記支持体上に、反転パターン形成用材料を塗布して前記レジストパターンの高さと同じかそれよりも薄い膜厚のパターン反転用被膜を形成する工程(ii)と、前記レジストパターンをエッチングにより除去し、反転パターンを形成する工程(iii)と、を備え、前記反転パターン形成用材料は、シリコン含有量が15質量%超のシロキサンポリマーを含有することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

G03F 7/40 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F7/40 511 , G03F7/40 521 , H01L21/30 570

Fターム (15件)：

2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096DA04 , 2H096EA02 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096EA06 , 2H096EA07 , 2H096EA23 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096HA05 , 2H096JA04 , 2H096JA06 , 5F046PA19

引用特許：

出願人引用 (5件)

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-201310 出願人：東京応化工業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-065460 出願人：富士通株式会社
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-294981 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (4件)

パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-022685 出願人：信越化学工業株式会社
パターン反転用樹脂組成物及び反転パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-134493 出願人：JSR株式会社
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-294981 出願人：株式会社東芝

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