半導体装置、および、その製造方法、電子機器

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-196639
公開番号（公開出願番号）：特開2012-054450
出願日： 2010年09月02日
公開日（公表日）： 2012年03月15日
要約：

【課題】製造効率の向上、コストダウン、信頼性の向上、小型化を容易に実現させる。【解決手段】各配線111h,211hにおいて、第1半導体チップ100および第2半導体チップ200の側端部にて露出した側面を、導電層401で被覆される。これにより、導電層401によって両配線111h,211hの間が電気的に接続させる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

第1半導体チップと、前記第1半導体チップに積層された第2半導体チップとを具備しており、前記第1半導体チップは、当該第1半導体チップの側端部において側面が露出した第1配線を含み、前記第2半導体チップは、当該第2半導体チップの側端部において側面が露出した第2配線を含み、前記第1配線と前記第2配線とのそれぞれは、前記第1半導体チップおよび前記第2半導体チップの側端部にて露出した側面が導電層で被覆されており、前記導電層によって前記第1配線と前記第2配線との間が電気的に接続されている、半導体装置。

IPC (11件)：

H01L 25/16 , H01L 27/146 , H01L 27/14 , H04N 5/374 , H04N 5/369 , H01L 27/10 , H01L 23/52 , H01L 21/320 , H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (9件)：

H01L25/16 A , H01L27/14 A , H01L27/14 D , H04N5/335 740 , H04N5/335 690 , H01L27/14 F , H01L27/10 495 , H01L21/88 T , H01L25/08 Z

Fターム (51件)：

4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118BA19 , 4M118CA02 , 4M118CA32 , 4M118DD04 , 4M118DD12 , 4M118EA01 , 4M118EA14 , 4M118FA06 , 4M118FA26 , 4M118FA33 , 4M118GA02 , 4M118GC07 , 4M118GC14 , 4M118GD03 , 4M118GD04 , 4M118GD07 , 4M118HA22 , 4M118HA29 , 4M118HA31 , 5C024AX01 , 5C024BX01 , 5C024CY47 , 5C024EX52 , 5C024GX03 , 5C024GY38 , 5C024GY39 , 5F033GG03 , 5F033QQ08 , 5F033VV07 , 5F033VV12 , 5F033VV15 , 5F033VV16 , 5F033XX34 , 5F033XX37 , 5F083AD00 , 5F083ER22 , 5F083GA10 , 5F083GA18 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083NA01 , 5F083ZA12 , 5F083ZA20 , 5F083ZA23 , 5F083ZA29

引用特許：

審査官引用 (3件)

側面パッドを備えるチップ、その製造方法及びそのチップを利用したパッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-011936 出願人：三星電子株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-352250 出願人：三洋電機株式会社, 三洋半導体株式会社
回路の三次元的な統合において用いられるバリヤ
公報種別：公表公報出願番号：特願2009-503112 出願人：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド

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