特許
J-GLOBAL ID：201203070603529552
直接描画方法および直接描画装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-182149
公開番号（公開出願番号）：特開2012-042587
出願日： 2010年08月17日
公開日（公表日）： 2012年03月01日
要約：
【課題】 基板上にすでに配置されている、サブ半導体チップの電極パッドを検出して生成した電極接続データで描画処理を行う技術を提供する。 【解決手段】 パターン描画装置100の光学ヘッド部50に対して相対移動する基板Wを光学ヘッド部50により直接露光する直接露光方法で、アライメントカメラ60で基板Wをモニターし基板Wの電極パッドの位置を検出し、パターン描画装置100に入力された配線パターンデータと、電極パッドの検出位置からパターン描画装置100内の制御部70が、電極接続データを生成する。生成された電極接続データで光学ヘッド部50が、移動する基板Wを電極接続データに基づいて直接露光することで電極パッドの位置がずれていても配線パターンを正確に描画することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
直接描画装置の光学ヘッド部に対して相対移動するステージ上に載せられた露光対象基板を、前記光学ヘッド部により直接露光する直接描画方法であって、
前記直接描画装置のステージ上の露光対象基板の電極パッドの位置を検出する電極パッド位置検出ステップと、
前記直接描画装置に入力された配線パターンデータと、前記電極パッド位置検出ステップによる検出位置から直接描画装置内の制御部が、電極接続データを生成する描画データ生成ステップと、
前記制御部が、前記電極接続データを、ラスタデータ形式の装置用データに変換する変換ステップと、
前記光学ヘッド部が、前記相対移動するステージ上に載せられた露光対象基板を前記装置用データに基づいて直接露光する露光ステップと、
を備えることを特徴とする直接描画方法。
IPC (3件)：
G03F 7/20
, H01L 21/027
, H01L 21/02
G03F7/20 505
, H01L21/30 529
, H01L21/02 Z
2H097AA03
, 2H097KA12
, 2H097KA20
, 2H097KA29
, 2H097LA10
, 5F046BA07
, 5F046EA02
, 5F046EB01
, 5F046EB08
, 5F046FA10
, 5F046FC05
, 5F146BA07
, 5F146EA02
, 5F146EB01
, 5F146EB08
, 5F146FA10
, 5F146FC05
