特許
J-GLOBAL ID：200903070645557909

パターン形成方法

発明者：
水越 正孝

水越 正孝 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 北野 好人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-384297
公開番号（公開出願番号）：特開2003-186173
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2003年07月03日
要約：
【要約】【課題】 下層パターンにずれ、回転、収縮、歪み等が生じた場合であっても、下層パターンに位置合わせをして所望の上層パターンを形成しうるパターンの形成方法を提供する。【解決手段】 基板上に形成された下地パターンの位置を検出し、下地パターンの位置情報に基づいて基板上に形成すべきパターンのパターンデータを補正し、液晶パネルに補正パターンデータに基づくマスクパターンを表示し、この液晶パネルをマスクに用いてリソグラフィーによりパターン形成を行う。これにより、下層パターンにずれ、回転、収縮、歪み等が生じた場合であっても、下層パターンに位置合わせをして所望の上層パターンを形成することができる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された下地パターンの位置を検出する工程と、前記基板上に感光性樹脂膜を形成する工程と、前記下地パターンの位置情報に基づいて、前記基板上に形成すべきパターンのパターンデータを補正し、補正パターンデータを算出する工程と、前記補正パターンデータに基づいて、液晶パネルにマスクパターンを表示する工程と、前記感光性樹脂膜を、前記液晶パネルをマスクとして露光し、現像することにより、前記感光性樹脂膜をパターニングする工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08 ,  G03F 7/20 501 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 501 ,  H01L 21/30 502 P
Fターム (10件)：
2H095BA12 ,  2H095BB27 ,  2H095BC00 ,  2H097AA20 ,  2H097BA10 ,  2H097KA01 ,  2H097KA03 ,  2H097KA26 ,  2H097KA40 ,  2H097LA09
引用特許：
審査官引用 (4件)
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