溶液法によるSiC単結晶の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (5件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 亀松宏 , 永坂友康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-026254
公開番号（公開出願番号）：特開2012-162439
出願日： 2011年02月09日
公開日（公表日）： 2012年08月30日
要約：

【課題】成長結晶端部のクラック発生を防止して、溶液法によりSiC単結晶を製造する方法を提供する。【解決手段】Si-C溶液面に接触させたSiC種結晶の下面にSiC単結晶を成長させる、溶液法によるSiC単結晶の製造方法において、結晶成長が完了した時に、成長したSiC単結晶が接触している上記溶液面の近傍のSi-C溶液のC濃度を低下させた後に、上記成長したSiC単結晶を上記溶液面から引き上げることを特徴とする溶液法によるSiC単結晶の製造方法。成長したSiC単結晶が接触している上記溶液面の近傍のSi-C溶液のC濃度を7at%以下に低下させることが望ましい。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

Si-C溶液面に接触させたSiC種結晶の接触面にSiC単結晶を成長させる、溶液法によるSiC単結晶の製造方法において、結晶成長が完了した時に、成長したSiC単結晶が接触している上記溶液近傍のSi-C溶液のC濃度を低下させた後に、上記成長したSiC単結晶を上記溶液面から引き上げることを特徴とする溶液法によるSiC単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 , C30B 19/04

FI (2件)：

C30B29/36 A , C30B19/04

Fターム (11件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077CG02 , 4G077CG07 , 4G077EC08 , 4G077EG08 , 4G077QA04 , 4G077QA11 , 4G077QA26 , 4G077QA70

引用特許：

審査官引用 (4件)

SiC単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-263930 出願人：信越化学工業株式会社
SiC単結晶の液相エピタキシャル成長装置と製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-198421 出願人：三洋電機株式会社
特開昭48-011973

全件表示

前のページに戻る