成膜装置および成膜方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：大阿久敦子 , 山下一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-212541
公開番号（公開出願番号）：特開2012-069689
出願日： 2010年09月22日
公開日（公表日）： 2012年04月05日
要約：

【課題】基板の温度分布を任意に調整することのできる成膜装置を提供する。また、基板を均一に加熱して、所望の厚さの膜を形成することのできる成膜方法を提供する。【解決手段】成膜装置100は、チャンバ103と、チャンバ103内に設けられてシリコンウェハ101が載置されるサセプタ102と、サセプタ102を回転させる回転部104と、サセプタ102の下方に位置するインヒータ120およびアウトヒータ121と、これらのヒータの下方に位置するリフレクタ集合部105とを有する。リフレクタ集合部105は、環状のリフレクタと円盤状のリフレクタとが組み合わされてなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

成膜室と、前記成膜室内に設けられて基板が載置されるサセプタと、前記サセプタを回転させる回転部と、前記サセプタの下方に位置するヒータと、前記ヒータの下方に位置するリフレクタとを有し、前記リフレクタは、環状のリフレクタと円盤状のリフレクタとが組み合わされてなることを特徴とする成膜装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/46 , H01L 31/10

FI (3件)：

H01L21/205 , C23C16/46 , H01L31/10 A

Fターム (61件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077EG19 , 4G077HA12 , 4G077TE08 , 4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA29 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA05 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030KA24 , 4K030KA46 , 4K030LA14 , 4K030LA15 , 5F045AA01 , 5F045AA04 , 5F045AB02 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC01 , 5F045AC05 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC18 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AE01 , 5F045AE29 , 5F045AF03 , 5F045AF09 , 5F045BB02 , 5F045CA09 , 5F045CA13 , 5F045DA53 , 5F045DP03 , 5F045DP28 , 5F045DQ10 , 5F045EF05 , 5F045EK07 , 5F045EK08 , 5F045EK21 , 5F045EK22 , 5F049MB07 , 5F049NA08 , 5F049PA04 , 5F049SS01

引用特許：

審査官引用 (4件)

基板処理装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-318720 出願人：株式会社日立国際電気
半導体製造装置および半導体製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-183031 出願人：株式会社ニューフレアテクノロジー
半導体ウェハー加熱装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-201075 出願人：日本碍子株式会社

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