特許

J-GLOBAL ID：201203072065947066

グラフェン電子素子

発明者： 許 鎭盛 ,  徐 順愛 ,  李 晟熏 ,  鄭 現鍾 ,  梁 喜準
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (2件)： 渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-230617
公開番号（公開出願番号）：特開2012-119665
出願日： 2011年10月20日
公開日（公表日）： 2012年06月21日
要約：

【課題】グラフェン電子素子を提供する。【解決手段】ゲート電極、ゲート電極上に配置されたゲート酸化物、ゲート酸化物上のグラフェンチャネル層、グラフェンチャネル層の両端にそれぞれ配置されたソース電極及びドレイン電極を備えるグラフェン電子素子。グラフェンチャネル層には、複数のナノホールがグラフェンチャネル層の幅方向に一つの列で形成される。更にグラフェンチャネル層には、複数のナノホールがグラフェンチャネル層の長手方向に実質的に直交して配置される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ゲート電極と、 前記ゲート電極上に配置されたゲート酸化物と、 前記ゲート酸化物上のグラフェンチャネル層と、 前記グラフェンチャネル層の両端にそれぞれ配置されたソース電極とドレイン電極と、を備え、 前記グラフェンチャネル層には複数のナノホールが形成されたグラフェン電子素子。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  B82Y 30/00 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 29/06

FI (7件)：

H01L29/78 618C ,  B82Y30/00 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/06 601N

Fターム (15件)：

5F110AA01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG19 ,  5F110GG23 ,  5F110GG29 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置、半導体装置の製造方法およびトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-126441   出願人：富士通株式会社
• 炭素材料とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-315617   出願人：日本電気株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 'Graphene nanomesh'