特許
J-GLOBAL ID：201203072317860228
粒子線治療計画装置および粒子線治療装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
井上 学
, 戸田 裕二
, 岩崎 重美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-091660
公開番号（公開出願番号）：特開2012-223259
出願日： 2011年04月18日
公開日（公表日）： 2012年11月15日
要約：
【課題】均一走査又は積層原体照射において、荷電粒子ビームを有効に利用すると同時に治療時間を短縮する。【解決手段】均一走査では、コリメータ開口領域を一様に照射する最適な荷電粒子ビーム走査経路を治療計画装置が計算する。積層原体照射では、層分割した患部各層のマルチリーフコリメータ開口領域を一様に照射する最適な荷電粒子ビーム走査経路を層毎に治療計画装置が計算する、あるいは、各層のマルチリーフコリメータ開口領域をおおう最小の照射野サイズを治療計画装置が計算し、粒子線治療制御装置のメモリ上に記憶されている照射野サイズに対応した荷電粒子ビーム走査経路を選択する。コリメータ開口領域に合わせて、均一走査あるいは積層原体照射の各層での横方向の荷電粒子ビーム走査経路を最適に変化させることによって、上記課題を解決する。【選択図】 図21
請求項（抜粋）：
電磁石により荷電粒子ビームを走査して横方向に一様な線量分布を形成する均一走査を計画する治療計画装置において、コリメータ開口部を考慮して最適の横方向の走査経路を計算することを特徴とする治療計画装置。
IPC (1件)：
FI (3件)：
A61N5/10 K
, A61N5/10 P
, A61N5/10 H
4C082AA01
, 4C082AC05
, 4C082AE01
, 4C082AG22
