近接場露光用マスク、レジストパターン形成方法、デバイスの製造方法、近接場露光方法、パターン形成方法、近接場光リソグラフィ部材、および近接場ナノインプリント方法

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：勝沼宏仁 , 佐藤泰和 , 川崎康 , 関根毅 , 赤岡明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-051698
公開番号（公開出願番号）：特開2012-190915
出願日： 2011年03月09日
公開日（公表日）： 2012年10月04日
要約：

【課題】大面積にわたってマスクと被露光物との密着を確保することのできる近接場露光用マスク、レジストパターン形成方法、デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】本実施形態の近接場露光用マスクは、シリコン基板2と、前記シリコン基板2上に形成され、Au、Al、Ag、Cu、Cr、Sb、W、Ni、In、Ge、Sn、Pb、Zn、Pd、およびCの群から選択された少なくとも1つの元素を含む層、もしくはこれらの層の積層膜である近接場光発生膜6と、を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成され、Au、Al、Ag、Cu、Cr、Sb、W、Ni、In、Ge、Sn、Pb、Zn、Pd、およびCの群から選択された少なくとも1つの元素を含む層、もしくはこれらの層の積層膜である近接場光発生部と、を備えていることを特徴とする近接場露光用マスク。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 1/68

FI (3件)：

H01L21/30 502D , H01L21/30 502P , G03F1/16 Z

Fターム (7件)：

2H095BA03 , 2H095BC05 , 2H095BC27 , 5F046AA28 , 5F046BA02 , 5F146AA28 , 5F146BA02

引用特許：

審査官引用 (7件)

近接場露光マスク及び近接場露光マスクの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-289775 出願人：キヤノン株式会社
プラズモンプローブの製造方法、近接場光発生器、光アシスト式磁気記録ヘッド、光アシスト式磁気記録装置、近接場光顕微鏡装置、近接場光露光装置、光記録装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-141452 出願人：コニカミノルタオプト株式会社
フォトレジスパターンの作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-011965 出願人：国立大学法人北海道大学

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