特許
J-GLOBAL ID：200903035185011945

プラズモンプローブの製造方法、近接場光発生器、光アシスト式磁気記録ヘッド、光アシスト式磁気記録装置、近接場光顕微鏡装置、近接場光露光装置、光記録装置

発明者：
西田 直樹

西田 直樹 について


出願人/特許権者：
コニカミノルタオプト株式会社

コニカミノルタオプト株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-141452
公開番号（公開出願番号）：特開2008-299890
出願日： 2007年05月29日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：
【課題】先端部の曲率半径が小さいプラスモンプローブを簡単な方法で製造することができるプラズモンプローブの製造方法、および製造されたプラズモンプローブを用いた光アシスト式磁気記録ヘッド、光アシスト式磁気記録装置、近接場光顕微鏡装置、近接場光露光装置、光記録装置を提供する。【解決手段】基板に塗布したレジストを所望の形状に除去する工程と、基板に金属材料を蒸着して成膜する工程と、レジストを除去する工程と、を有するプラズモンプローブの製造方法において、レジストを塗布した基板の面に対し斜め方向から蒸着することを特徴とするプラズモンプローブの製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板に塗布したレジストを所望の形状に除去する工程と、 前記基板に金属材料を蒸着して成膜する工程と、 前記レジストを除去する工程と、 を有するプラズモンプローブの製造方法において、 前記レジストを塗布した前記基板の面に対し斜め方向から蒸着することを特徴とするプラズモンプローブの製造方法。
IPC (2件)：
G11B 5/02 ,  G11B 11/10
FI (2件)：
G11B5/02 T ,  G11B11/10 502Z
Fターム (5件)：
5D075CC39 ,  5D091AA10 ,  5D091BB06 ,  5D091CC26 ,  5D091CC30
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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