レーザアニール処理装置およびレーザアニール処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：横井幸喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-152988
公開番号（公開出願番号）：特開2012-015445
出願日： 2010年07月05日
公開日（公表日）： 2012年01月19日
要約：

【課題】半導体膜のパルスレーザ光を照射してアニールする際に、適正なパルスエネルギー密度を高くすることなく該パルスエネルギー密度のマージンを大きくすることを可能にする。【解決手段】パルスレーザ光を出力するレーザ光源と、パルスレーザ光を整形して処理対象の半導体膜に導く光学系と、パルスレーザ光が照射される前記半導体膜を設置するステージとを有し、前記半導体膜に照射される前記パルスレーザ光が、パルスエネルギー密度で最大高さの10%から最大高さに至るまでの立ち上がり時間が35n秒以下、最大高さから最大高さの10%に至るまでの立ち下がり時間が80n秒以上であるものとすることで、結晶化などに適したパルスエネルギー密度を格別に大きくすることなく、そのマージン量を大きくして、良質なアニール処理をスループットを低下させることなく行う。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

パルスレーザ光を出力するレーザ光源と、前記パルスレーザ光を整形して処理対象の半導体膜に導く光学系と、前記パルスレーザ光が照射される前記半導体膜を設置するステージとを有し、前記半導体膜に照射される前記パルスレーザ光が、パルスエネルギー密度で最大高さの10%から該最大高さに至るまでの立ち上がり時間が35n秒以下、前記最大高さから該最大高さの10%に至るまでの立ち下がり時間が80n秒以上であることを特徴とするレーザアニール処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01S 3/00 , B23K 26/00 , B23K 26/067 , B23K 26/073

FI (8件)：

H01L21/20 , H01L21/268 J , H01S3/00 B , B23K26/00 E , B23K26/00 H , B23K26/067 , B23K26/073 , B23K26/00 N

Fターム (21件)：

4E068AH01 , 4E068CA02 , 4E068CA03 , 4E068CD02 , 4E068CD03 , 4E068DA09 , 5F152AA08 , 5F152BB01 , 5F152CE05 , 5F152CE24 , 5F152EE01 , 5F152FF03 , 5F152FG06 , 5F152FG23 , 5F152FH03 , 5F172AD06 , 5F172EE22 , 5F172NN11 , 5F172NN23 , 5F172NR12 , 5F172ZZ01

引用特許：

審査官引用 (4件)

アモルファスシリコン薄膜層の処理方法及び処理装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-611312 出願人：ソシエテ・ドゥ・プロデュクシオン・エ・ドゥ・ルシェルシェ・アプリケ
磁気記録媒体の製造法および半導体レーザテキスチャ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-269242 出願人：三菱化学株式会社
レーザアニーリング方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-076874 出願人：株式会社小松製作所

全件表示

前のページに戻る