特許
J-GLOBAL ID：201203074359898872
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-066475
公開番号（公開出願番号）：特開2012-204523
出願日： 2011年03月24日
公開日（公表日）： 2012年10月22日
要約：
【課題】コストの上昇を抑えながら高い信頼性の接合を実現することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子に設けられた第1の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第1の層を設け、前記半導体素子が搭載される搭載部材に設けられた第2の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第2の層を設ける(ステップS1)。前記第1の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満、かつ前記第2の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満の温度で、前記第1の層の表面に存在する酸化膜及び前記第2の層の表面に存在する酸化膜を還元する(ステップS2)。前記第1の層及び前記第2の層を互いに固相拡散接合する(ステップS4)。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体素子に設けられた第1の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第1の層を設ける工程と、
前記半導体素子が搭載される搭載部材に設けられた第2の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第2の層を設ける工程と、
前記第1の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満、かつ前記第2の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満の温度で、前記第1の層の表面に存在する酸化膜及び前記第2の層の表面に存在する酸化膜を還元する工程と、
前記第1の層及び前記第2の層を互いに固相拡散接合する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F044KK01
, 5F044KK11
, 5F044KK16
, 5F044KK18
, 5F044KK19
, 5F044LL00
, 5F044QQ01
, 5F044QQ03
, 5F044QQ04
, 5F044QQ06
審査官引用 (1件)
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半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-105529
出願人：富士通株式会社
引用文献：
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