特許
J-GLOBAL ID：200903027368974499
半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-105529
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294430
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】 低コストで高さが均一且つ平滑な金属端子の形成が可能であり、低ダメージの実装を可能とする高信頼性を有する半導体装置を実現する。【解決手段】 バイトを用いた切削加工で発生する摩擦熱により上昇する絶縁膜6の温度を80°Cより低温に制御しつつ、切削加工工程の全体を通して80°Cよりも低温という温度範囲を保持しながら平坦化処理した後、80°C以上で絶縁膜6の硬化温度よりも低い温度で、電極5と電極19とを対応させて接触させ、絶縁膜6を液化させて電極5及び電極19間を絶縁膜6の絶縁樹脂で充填させた後、硬化温度以上で絶縁樹脂を硬化させる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
表面に複数の第1の電極が形成されてなる第1の基体について、第1の温度以上で接着性を発現する絶縁材料を用いて前記第1の電極を埋め込んで封止する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の温度を前記第1の温度よりも低い温度に保持しながら、バイトを用いた切削加工により、前記第1の電極の表面及び前記絶縁膜の表面が連続して平坦となるように平坦化処理する工程と、
表面に複数の第2の電極が形成されてなる第2の基体に前記第1の基体を前記第1の電極と前記第2の電極とが接触するように対向させ、前記第1の基体と前記第2の基体とを前記絶縁膜により接続するとともに、前記第1の電極と前記第2の電極との間に金属の固相拡散層を生成せしめる工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F044LL11
, 5F044LL15
, 5F044QQ04
, 5F044RR17
, 5F044RR18
, 5F044RR19
出願人引用 (13件)
全件表示
審査官引用 (10件)
全件表示
前のページに戻る
