特許
J-GLOBAL ID：201203074977805460
透明導電性フィルムの製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-137002
公開番号（公開出願番号）：特開2012-112031
出願日： 2011年06月21日
公開日（公表日）： 2012年06月14日
要約：
【課題】結晶化時間を短縮化することができる透明導電性フィルムの製造方法を提供すること。【解決手段】透明なフィルム基材の少なくとも一方の面に、透明導電層を有する透明導電性フィルムの製法方法であって、前記透明はフィルム基材上に、4価金属元素の酸化物の割合が3〜35重量%以下のインジウム系複合酸化物をスパッタリングにて堆積させる工程(A1)と、酸化インジウムまたは前記4価金属元素の酸化物の割合が0を超え6重量%以下であって、工程(A1)で用いたインジウム系複合酸化物よりも、前記4価金属元素の酸化物の割合が小さいインジウム系複合酸化物をスパッタリングにて堆積させる工程(A2)を順次に施すことを含む、インジウム系複合酸化物の非晶質層を形成する工程(A)、および、前記非晶質層を加熱することにより結晶化させて、インジウム系複合酸化物の結晶質の透明導電層を形成する工程(B)を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透明なフィルム基材の少なくとも一方の面に、透明導電層を有する透明導電性フィルムの製法方法であって、
前記透明はフィルム基材上に、
{4価金属元素の酸化物/(4価金属元素の酸化物+酸化インジウム)}×100(%)で表される4価金属元素の酸化物の割合が3〜35重量%の4価金属元素の酸化物を含有するインジウム系複合酸化物をスパッタリングにて堆積させる工程(A1)と、
酸化インジウムまたは前記4価金属元素の酸化物の割合が0を超え6重量%以下であって、工程(A1)で用いたインジウム系複合酸化物よりも、前記4価金属元素の酸化物の割合が小さいインジウム系複合酸化物をスパッタリングにて堆積させる工程(A2)を順次に施すことを含む、非晶質の透明導電層を形成する堆積工程(A)、
および、前記非晶質の透明導電層を加熱することにより結晶化させて、結晶質の透明導電層を形成する熱処理工程(B)を有することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。
IPC (3件)：
C23C 14/08
, H01B 13/00
, C23C 14/58
C23C14/08 D
, H01B13/00 503B
, C23C14/58 A
4K029AA11
, 4K029AA25
, 4K029BA50
, 4K029BB02
, 4K029BB08
, 4K029BC09
, 4K029CA06
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 4K029DC34
, 4K029EA01
, 4K029GA01
, 5G323BA02
, 5G323BB05
, 5G323BC01
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る
