特許
J-GLOBAL ID:200903063132594195

透明導電膜とその製造方法、電気光学装置とその製造方法、及び電子機器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 上柳 雅誉 ,  宮坂 一彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-241127
公開番号(公開出願番号):特開2008-066055
出願日: 2006年09月06日
公開日(公表日): 2008年03月21日
要約:
【課題】透過率、比抵抗、化学的安定性等について高い水準で優れた特性を得られる透明導電膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る透明導電膜(画素電極9)は、インジウム錫酸化物を主成分とし、インジウム原子と錫原子の合計原子数に対する錫原子数の比率である錫濃度が異なる複数の部位(第1の導電層9a、第2の導電層9b)を有している。【選択図】図4
請求項(抜粋):
インジウム錫酸化物を主成分とし、インジウム原子と錫原子の合計原子数に対する錫原子数の比率である錫濃度が異なる複数の部位を有することを特徴とする透明導電膜。
IPC (3件):
H01B 5/14 ,  G02F 1/134 ,  H01B 13/00
FI (3件):
H01B5/14 A ,  G02F1/1343 ,  H01B13/00 503B
Fターム (18件):
2H092GA17 ,  2H092GA59 ,  2H092HA04 ,  2H092JA24 ,  2H092MA10 ,  2H092MA29 ,  2H092NA02 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  2H092PA06 ,  2H092RA05 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC02 ,  5G307FC09 ,  5G323BA02 ,  5G323BB02
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る