特許

J-GLOBAL ID：201203075087590462

半導体装置

発明者： 原 明人
出願人/特許権者： 学校法人東北学院
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-206094
公開番号（公開出願番号）：特開2012-049484
出願日： 2010年08月27日
公開日（公表日）： 2012年03月08日
要約：

【課題】非晶質上に低コストで高性能な半導体装置を形成する技術を提供する。【解決手段】GeがSi濃度よりも高濃度に含まれた疑似Ge領域(2)を含有し、該領域のGe濃度は初期SiGe薄膜中のGe濃度よりも高濃度であり、リボン形状をした結晶粒(1)は、互いに平行で且つ直線状に配置している疑似Ge領域(2)に挟まれる構造を有し、結晶粒(1)内においてGe濃度はSi濃度よりも低濃度であり、且つ結晶粒(1)内のGe濃度は初期SiGe薄膜中のGe濃度よりも低濃度であり、さらに各々の結晶粒(1)は相互に同一の方位を有する結晶粒から成っていることを特徴とする非晶質上の半導体薄膜からなる半導体装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン(Si)とゲルマニウム(Ge)を構成成分とする多結晶半導体薄膜からなる半導体装置において、該多結晶半導体薄膜は相互に同一の方位を有する結晶粒から構成されている半導体薄膜である特徴を有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20

FI (4件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 618Z ,  H01L21/20

Fターム (58件)：

5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE04 ,  5F110EE38 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL04 ,  5F110HL23 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP23 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ24 ,  5F152AA03 ,  5F152BB02 ,  5F152BB08 ,  5F152BB09 ,  5F152CC02 ,  5F152CC04 ,  5F152CC08 ,  5F152CC09 ,  5F152CE06 ,  5F152CE09 ,  5F152CE13 ,  5F152CE14 ,  5F152CE16 ,  5F152CE17 ,  5F152CE24 ,  5F152CE45 ,  5F152FF07 ,  5F152FF47 ,  5F152FG01 ,  5F152FG03 ,  5F152FG23 ,  5F152FH01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜トランジスタ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-025531   出願人：株式会社日立製作所
• 結晶質半導体膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-074787   出願人：シャープ株式会社