薄膜トランジスタ装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-025531
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231958
出願日： 2001年02月01日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】高性能で大面積の画像表示装置を低コストで実現するため、薄膜トランジスタの素子材となる低温poly-Si薄膜において粒界散乱を抑制し、表面凹凸を小さくし、正孔キャリアについても高移動度が実現できる結晶構造を持つ多結晶薄膜を実現する技術を提供する。【解決手段】薄膜トランジスタ装置は、多結晶Si薄膜中にGeを導入し結晶化に伴う相分離で結晶粒内7と結晶粒界8との間にGe組成比を異ならせることで、結晶粒界8におけるキャリア散乱要因を抑制し、かつ結晶の体積差を利用して表面凹凸を抑制することにより高移動度TFTを実現する。

請求項（抜粋）：

絶縁体基板と、前記絶縁体基板上に形成された多結晶薄膜と、前記多結晶薄膜上に形成されたソース、ドレイン、チャネル及びゲートからなるトランジスタとを有し、前記トランジスタのチャネル部における前記多結晶薄膜は、シリコンゲルマニウム多結晶Si<SB>1-x</SB>Ge<SB>x</SB>からなり、ただし、Siに対するGeの組成比xは0<x<1であり、かつ前記多結晶薄膜中のGeの組成比xは、結晶粒内でGe組成が最小となる部分よりも粒界において大きいことを特徴とする薄膜トランジスタ装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , H01L 21/20 , H01L 21/336

FI (5件)：

G02F 1/1368 , H01L 21/20 , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 618 Z , H01L 29/78 627 G

Fターム (33件)：

2H092JA24 , 2H092JA33 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092KA04 , 2H092KA08 , 2H092KA10 , 2H092MA30 , 2H092NA21 , 2H092NA22 , 2H092NA24 , 5F052AA02 , 5F052BB07 , 5F052DA01 , 5F052DA03 , 5F052DA10 , 5F052DB03 , 5F052JA01 , 5F052JA04 , 5F110AA04 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC01 , 5F110GG01 , 5F110GG07 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG32 , 5F110GG45 , 5F110PP03 , 5F110PP05

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-073820 出願人：シャープ株式会社
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-071311 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-185684 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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