特許
J-GLOBAL ID：201203075171056480

基板処理装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者：
佐々木 伸也

佐々木 伸也 について

, 
竹林 雄二

竹林 雄二 について

, 
小倉 慎太郎

小倉 慎太郎 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-253231
公開番号（公開出願番号）：特開2012-104720
出願日： 2010年11月11日
公開日（公表日）： 2012年05月31日
要約：
【課題】反応生成物や分解物がノズル内壁に堆積するのを抑えるとともに、異物が処理室内に飛散するのを抑える。【解決手段】 処理室と、加熱ユニットと、原料ガス供給ユニットと、原料ガスノズルと、排気ユニットと、少なくとも加熱ユニット、原料ガス供給ユニット、排気ユニットを制御する制御部と、を有し、原料ガスノズルは、処理室内の温度が原料ガスの熱分解温度よりも高い場合であっても内部で原料ガスが分解しないような処理室内の所定位置に配設され、制御部は、異なる流速で互いに混合させないよう処理室内に原料ガスを供給する処理を含むサイクルを所定回数実施させる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
複数枚の基板を水平姿勢に積層した状態で収容する処理室と、 前記処理室の外側に設けられ、前記処理室内を加熱する加熱ユニットと、 原料ガスを供給する原料ガス供給ユニットと、 前記原料ガス供給ユニットと接続され、前記原料ガス供給ユニットから供給される前記原料ガスを前記処理室内に供給する原料ガスノズルと、 前記処理室内を実質的に水平方向に排気する排気ユニットと、 少なくとも前記加熱ユニット、前記原料ガス供給ユニット、前記排気ユニットを制御する制御部と、 を有し、 前記原料ガスノズルは、前記処理室内の温度が前記原料ガスの熱分解温度よりも高い場合であっても内部で前記原料ガスが分解しないような前記処理室内の所定位置に配設され、 前記制御部は、異なる流速で互いに混合させないよう前記処理室内に前記原料ガスを供給する処理を含むサイクルを所定回数実施させるように構成されていることを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C01F 7/02
FI (3件)：
H01L21/31 B ,  C23C16/44 J ,  C01F7/02 A
Fターム (45件)：
4G076AA02 ,  4G076AB11 ,  4G076BA04 ,  4G076BA41 ,  4G076BB01 ,  4G076BC01 ,  4G076BD02 ,  4G076BD04 ,  4G076CA10 ,  4G076DA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA16 ,  4K030AA18 ,  4K030AA24 ,  4K030BA43 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030GA12 ,  4K030HA01 ,  4K030JA12 ,  4K030KA22 ,  4K030KA23 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD09 ,  5F045BB02 ,  5F045BB14 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045EE20 ,  5F045EF02 ,  5F045EF03 ,  5F045EF09 ,  5F045EF20 ,  5F045EK06
引用特許：
審査官引用 (4件)
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