特許
J-GLOBAL ID：200903006968542986

縦型CVD装置及び同装置を使用するCVD方法

発明者：
松浦 廣行

松浦 廣行 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (5件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-178009
公開番号（公開出願番号）：特開2006-013490
出願日： 2005年06月17日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】被処理基板上に形成された膜の特性に関して面間均一性を向上させる。【解決手段】縦型CVD装置は、処理室8内に処理ガスを供給する供給系42、44と、装置の動作を制御する制御部5とを含む。供給系42、44は、第1反応ガスを供給する第1反応ガスライン60に接続された複数の第1供給孔53と、第2反応ガスを供給する第2反応ガスライン62に接続された複数の第2供給孔53とを含む。第1供給孔53のセット及び第2供給孔53のセットの夫々は、積重ねられた被処理基板の全体に亘るように被処理基板Wのエッジの横で垂直方向に配列される。制御部5は、第1及び第2反応ガスを交互に供給するように供給系42、44を制御することにより、第1及び第2反応ガスに由来する薄膜を被処理基板W上に形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数の被処理基板に対して一緒にCVD処理を施すための縦型CVD装置であって、 前記被処理基板を収納する気密な処理室と、 前記処理室内で前記被処理基板を互いに間隔をあけて積重ねた状態で保持する保持具と、 前記処理室の内部雰囲気を加熱するヒータと、 前記処理室内を排気する排気系と、 前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と、前記供給系は、第1反応ガスを供給する第1反応ガスラインに接続された複数の第1供給孔と、第2反応ガスを供給する第2反応ガスラインに接続された複数の第2供給孔とを具備することと、前記第1供給孔のセット及び前記第2供給孔のセットの夫々は、積重ねられた前記被処理基板の実質的に全体に亘るように前記被処理基板のエッジの横で垂直方向に配列されることと、 第1及び第2工程を複数繰り返し実行することにより、前記第1及び第2反応ガスに由来する薄膜を前記被処理基板上に形成するように、前記装置の動作を制御する制御部と、前記第1工程は、前記第1及び第2反応ガスの一方のガスを供給すると共に他方のガスを停止することにより、前記被処理基板の表面に前記一方のガスを吸着させることと、前記第2工程は、前記他方のガスを供給すると共に前記一方のガスを停止することにより、前記被処理基板の表面に吸着する前記一方のガスに、前記他方のガスを作用させることと、 を具備する縦型CVD装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/318
FI (3件)：
H01L21/31 B ,  C23C16/52 ,  H01L21/318 B
Fターム (48件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA07 ,  4K030HA01 ,  4K030JA11 ,  4K030KA04 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045BB02 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EC02 ,  5F045EE14 ,  5F045EE15 ,  5F045EE19 ,  5F045EE20 ,  5F045EF03 ,  5F045EF20 ,  5F045EK06 ,  5F058BD10 ,  5F058BD13 ,  5F058BF02 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BF31 ,  5F058BF36
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 米国特許第6,585,823B1公報
  • 基板処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-234841   出願人：株式会社日立国際電気
  • 基板処埋装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-104011   出願人：株式会社日立国際電気
審査官引用 (5件)
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