特許
J-GLOBAL ID:201203075919329280
半導体装置及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
服部 毅巖
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-068176
公開番号(公開出願番号):特開2012-204632
出願日: 2011年03月25日
公開日(公表日): 2012年10月22日
要約:
【課題】放熱及び電磁シールドの機能を有する半導体装置を、部材数を抑えて実現する。【解決手段】半導体装置10Aは、基板11と、基板11の上方に設けられた半導体素子12を含み、更に、半導体素子12を被覆し、且つ、基板11に設けられた接続パッド11bに接続された、はんだ材料からなる熱伝導材15を含む。このような熱伝導材15の上方に放熱体17が設けられる。半導体素子12と放熱体17の間を熱的に接続する熱伝導材15によって、半導体素子12からの電磁的ノイズの放射や半導体素子12への電磁的ノイズの入射を抑制する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板と、
前記基板に配設された電極部と、
前記基板の上方に配設された半導体素子と、
前記半導体素子を被覆し且つ前記電極部に接続された、はんだ材料からなる熱伝導材と、
前記熱伝導材の上方に配設された放熱体と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L23/36 D
, H01L23/36 Z
, H01L23/12 501B
Fターム (10件):
5F136BC03
, 5F136BC06
, 5F136DA11
, 5F136DA14
, 5F136DA17
, 5F136EA13
, 5F136EA23
, 5F136FA02
, 5F136FA03
, 5F136GA02
引用特許:
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