特許
J-GLOBAL ID：200903004525098851

半導体装置

発明者：
澤畑 宏治

澤畑 宏治 について

, 
井川 治

井川 治 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-080578
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258430
出願日： 2006年03月23日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】半導体素子とヒートスプレッダとを接続し、且つ当該半導体素子が発生する熱をヒートスプレッダに伝達する為の熱伝導材料(例えば、半田合金)が流出しても、配線基板上に搭載された受動素子などに接触することを防止することができる構成を有する半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】半導体装置30は、支持基板32と、前記支持基板32の一方の主面に搭載された半導体素子31と、前記半導体素子31に熱伝導部43が接続された放熱体40とを具備し、前記半導体素子31は、前記支持基板32の前記一方の主面に設けられた凹部47に於いて当該支持基板32に搭載され、前記半導体素子31と前記放熱体40の前記熱伝導部43は熱伝導材料36を介して接続され、前記支持基板32の凹部40内に於いて、前記半導体素子31を囲繞して、壁状部材42が配設されてなることを特徴とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
支持基板と、 前記支持基板の一方の主面に搭載された半導体素子と、 前記半導体素子に熱伝導部が接続された放熱体と を具備し、 前記半導体素子は、前記支持基板の前記一方の主面に設けられた凹部に於いて当該支持基板に搭載され、 前記半導体素子と前記放熱体の前記熱伝導部は熱伝導材料を介して接続され、 前記支持基板の凹部内に於いて、前記半導体素子を囲繞して、壁状部材が配設されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/36 ,  H01L 23/12
FI (2件)：
H01L23/36 Z ,  H01L23/12 501B
Fターム (7件)：
5F136BA00 ,  5F136BC03 ,  5F136DA08 ,  5F136DA17 ,  5F136EA13 ,  5F136EA23 ,  5F136EA29
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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