特許
J-GLOBAL ID：201203077018643581

半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置

発明者：
赤江 尚徳

赤江 尚徳 について

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▲ひろせ▼ 義朗

▲ひろせ▼ 義朗 について

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村上 孝太郎

村上 孝太郎 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-081983
公開番号（公開出願番号）：特開2012-019194
出願日： 2011年04月01日
公開日（公表日）： 2012年01月26日
要約：
【課題】石英へのダメージ低減と堆積物の除去速度の向上を両立させるクリーニングを実現する。【解決手段】基板を収容した処理容器内に処理ガスを供給して基板上に薄膜を形成する工程と、薄膜を形成する工程を所定回数実施した後、処理容器内にクリーニングガスを供給して処理容器内をクリーニングする工程と、を有し、処理容器内をクリーニングする工程では、加熱された大気圧未満の圧力下にある処理容器内にクリーニングガスとして、フッ素含有ガスと、酸素含有ガスと、水素含有ガスとを供給して、処理容器内に付着した薄膜を含む堆積物を熱化学反応により除去するようにした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板を収容した処理容器内に処理ガスを供給して前記基板上に薄膜を形成する工程と、 前記薄膜を形成する工程を所定回数実施した後、前記処理容器内にクリーニングガスを供給して前記処理容器内をクリーニングする工程と、を有し、 前記処理容器内をクリーニングする工程では、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に前記クリーニングガスとして、フッ素含有ガスと、酸素含有ガスと、水素含有ガスとを供給して、前記処理容器内に付着した前記薄膜を含む堆積物を熱化学反応により除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/44
FI (3件)：
H01L21/31 B ,  H01L21/31 E ,  C23C16/44 J
Fターム (30件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA29 ,  4K030BA40 ,  4K030BA41 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030FA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA04 ,  4K030GA06 ,  4K030KA04 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AB31 ,  5F045AB33 ,  5F045AB40 ,  5F045AC15 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045BB08 ,  5F045EB06 ,  5F045EC05
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (13件)
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