三フッ化窒素と酸素での熱的清浄方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-007722
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303186
出願日： 1998年01月19日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】半導体製造機器、特に石英部品を動的なやり方で清浄にする方法を提供する。【解決手段】熱的に活性化させた三フッ化窒素と酸素源とを高温で、一般には処理加工温度で、使用する。清浄による流出物は安全に取り出され、そして清浄副生物は、清浄を効率的にし、またそうして清浄にした製造機器を速やかに再始動させるように分離又は希釈される。

請求項（抜粋）：

下記の工程(a)〜(d)を含む、半導体の製造において機器表面を三フッ化窒素を使用して清浄にするための熱処理方法。(a)初めに当該機器表面と接している帯域を排気する工程(b)当該帯域を三フッ化窒素を熱的に解離させるのに十分な高温に保持する工程(c)三フッ化窒素と酸素源とのエッチング剤混合物であって当該酸素源が当該エッチング剤混合物のおよそ1〜30%の範囲であるエッチング剤混合物を、上記帯域を通して流す工程(d)当該機器表面の不所望の物質を、当該三フッ化窒素及び/又は、三フッ化窒素から解離したフッ素清浄剤と、当該不所望物質との化学反応で揮発性の反応生成物を生成させることにより、除去する工程

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/302 N , H01L 21/31 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

CVD装置のクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-324953 出願人：日立電子エンジニアリング株式会社
特開平4-072621
半導体製造装置のドライクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-256843 出願人：国際電気株式会社

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