特許
J-GLOBAL ID：201203078959775990
スピン伝導素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 三上 敬史
, 石坂 泰紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-009234
公開番号（公開出願番号）：特開2012-151307
出願日： 2011年01月19日
公開日（公表日）： 2012年08月09日
要約：
【課題】 Hanle効果を利用可能なスピン伝導素子を提供する。【解決手段】 電子流源Eにより、第1強磁性層1と第1電極4との間に電子流が供給されると、半導体層3内を電子が流れると共に、スピンが拡散する。このスピン流は、第2強磁性層2方向にも流れ、スピンの磁化方向に依存して、第2強磁性層2内に吸収される。スピン伝導素子における第1配線8aに電流を供給すると、その周囲に磁場Bが発生するが、半導体層3Cをスピンが走行する領域内において、磁場Bが印加されると、磁場Bの影響を受けて、スピンの方向が変わる。したがって、この磁場Bを制御することで、第2強磁性層2内に吸収されるスピン量を制御することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体層と、
前記半導体層上に第1トンネル障壁層を介して設けられた第1強磁性層と、
前記半導体層上に、前記第1強磁性層から離間し、第2トンネル障壁層を介して設けられた第2強磁性層と、
電流が供給されることにより、前記半導体層における、前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間に領域内に、磁場を発生させる第1配線と、
を備えることを特徴とするスピン伝導素子。
IPC (3件)：
H01L 29/82
, H01L 27/105
, H01L 21/824
H01L29/82 Z
, H01L27/10 447
4M119AA17
, 4M119BB20
, 4M119CC02
, 5F092AC21
, 5F092BD03
, 5F092BD04
, 5F092BD14
, 5F092BD15
, 5F092BD19
