特許

J-GLOBAL ID：201003026037659121

スピン注入構造及びそれを用いたスピン伝導デバイス

発明者： 佐々木 智生 ,  及川 亨 ,  田上 勝通 ,  鈴木 淑男
出願人/特許権者： TDK株式会社 ,  秋田県
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  三上 敬史 ,  石坂 泰紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-086920
公開番号（公開出願番号）：特開2010-239011
出願日： 2009年03月31日
公開日（公表日）： 2010年10月21日
要約：

【課題】従来のスピン注入構造において、MgOはSi上にエピタキシャル成長しないため、格子不整合によりそこを通過する偏極したスピンが乱されて、偏極スピンが減少するため、良好な特性を維持可能なスピン注入構造を提供する。【解決手段】Siからなるチャンネル層7と、チャンネル層7上に形成された強磁性体からなる磁化固定層12Bと、チャンネル層7と磁化固定層12Bとの間に介在する第1トンネル障壁8Bとを備えている。さらに、第1トンネル障壁8Bは、チャンネル層7側の領域に位置する非晶質MgO層と、磁化固定層12B側の領域に位置する単結晶MgO層とを有している。第2トンネル障壁8Cも同様に、チャンネル層7側の領域に位置する非晶質MgO層と、磁化固定層12C側の領域に位置する単結晶MgO層とを有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Siからなるチャンネル層と、 前記チャンネル層上に形成された強磁性体からなる磁化固定層と、 前記チャンネル層と前記磁化固定層との間に介在する第1トンネル障壁と、を備え、 前記第1トンネル障壁は、 前記チャンネル層側の領域に位置する第1非晶質MgO層と、 前記磁化固定層側の領域に位置する第1結晶質MgO層と、 を有することを特徴とするスピン注入構造。

IPC (1件)：

H01L 29/82

FI (1件)：

H01L29/82 Z

Fターム (12件)：

5F092AA05 ,  5F092AA20 ,  5F092AC21 ,  5F092AC25 ,  5F092BD14 ,  5F092BD15 ,  5F092BD19 ,  5F092BD20 ,  5F092BE02 ,  5F092BE06 ,  5F092BE13 ,  5F092BE27

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ホイスラー合金を有する積層体、この積層体を用いたスピンMOS電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-218963   出願人：株式会社東芝
• 磁気再生ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-126363   出願人：株式会社日立製作所
• ハイブリッド型磁性体/半導体スピン素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-068644   出願人：コリアインスティテュートオブサイエンスアンドテクノロジー