半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：特許業務法人ハートクラスタ , 渡辺征一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-226937
公開番号（公開出願番号）：特開2012-084562
出願日： 2010年10月06日
公開日（公表日）： 2012年04月26日
要約：

【課題】縦型GaN系半導体装置において、p型GaNバリア層による耐圧性能の向上を得ながら、オン抵抗を低くできる半導体装置を提供する。【解決手段】開口部28壁面に位置するチャネルを含む再成長層27と、端面が被覆されるp型バリア層6と、p型バリア層上に接するソース層7と、再成長層の上に位置するゲート電極Gと、開口部の周囲に位置するソース電極Sとを備え、ソース層が超格子構造で構成され、該超格子構造が、p型バリア層よりも小さい格子定数を持つ第1の層(a層)と、該第1の層よりも格子定数が大きい第2の層(b層)との積層体である、ことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

開口部が設けられた3族窒化物系積層体を備える縦型の半導体装置であって、前記開口部の壁面を覆うように位置するチャネルを含む再成長層と、前記開口部の壁面で前記再成長層にその端面が被覆されるp型3族窒化物系半導体層と、前記3族窒化物系積層体の表層を形成し、前記p型3族窒化物系半導体層上に接して位置する3族窒化物系ソース層と、前記開口部において前記再成長層の上に位置するゲート電極と、前記開口部の周囲の前記3族窒化物系積層体上において前記再成長層および3族窒化物系ソース層に接して位置するソース電極とを備え、前記再成長層は電子走行層および電子供給層を含み、前記チャネルが前記電子走行層内の前記電子供給層との界面に生じる二次元電子ガスにより形成され、前記3族窒化物系ソース層が超格子構造で構成され、該超格子構造が、前記p型3族窒化物系半導体層よりも小さい格子定数を持つ第1の層と、該第1の層よりも格子定数が大きい第2の層との積層体である、ことを特徴とする、半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/80 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/12 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (10件)：

H01L29/80 V , H01L29/80 H , H01L29/78 652T , H01L29/78 653A , H01L29/78 652B , H01L29/78 658E , H01L29/78 652S , H01L29/78 652F , H01L29/78 658G , H01L29/78 652E

Fターム (22件)：

5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102FA03 , 5F102GB04 , 5F102GC07 , 5F102GC08 , 5F102GD10 , 5F102GJ04 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR11 , 5F102GR13 , 5F102GR15 , 5F102GS03 , 5F102GS07 , 5F102GV07 , 5F102HC01 , 5F102HC02 , 5F102HC07 , 5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (3件)

III族窒化物半導体を有する半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-003368 出願人：株式会社豊田中央研究所
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-104984 出願人：ユーディナデバイス株式会社
MIS型電界効果トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-228030 出願人：ローム株式会社

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