特許
J-GLOBAL ID：200903061127714066

半導体装置及びその製造方法

発明者：
中田 健

中田 健 について

, 
川崎 健

川崎 健 について

, 
八重樫 誠司

八重樫 誠司 について


出願人/特許権者：
ユーディナデバイス株式会社

ユーディナデバイス株式会社 について


代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-104984
公開番号（公開出願番号）：特開2006-286942
出願日： 2005年03月31日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：
【課題】 ピンチオフ特性を改善しまたはチャネル層の移動度を向上させ電気的特性の良好な半導体装置を提供すること。【解決手段】 基板(10)上に形成され、開口部(28)を有するGaN系半導体層(20)と、GaN系半導体層の前記開口部側面に形成された電子走行層(22)と、電子走行層の前記開口部側の側面に形成され、前記電子走行層よりバンドギャップの大きい電子供給層(26)と、電子供給層の開口部側の側面に形成されたゲート電極(32)と、GaN系半導体層上に形成されたソース電極(30)と、GaN系半導体層のソース電極と相対する面に接続されたドレイン電極(34)と、を具備する半導体装置。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基板上に形成され、開口部を有するGaN系半導体層と、 前記GaN系半導体層の前記開口部側面に形成された電子走行層と、 前記電子走行層の前記開口部側の側面に形成され、前記電子走行層よりバンドギャップの大きい電子供給層と、 前記電子供給層の前記開口部側の側面に形成されたゲート電極と、 前記GaN系半導体層上に形成されたソース電極と、 前記GaN系半導体層のソース電極と相対する面に接続されたドレイン電極と、を具備する半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/80 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338
FI (2件)：
H01L29/80 V ,  H01L29/80 H
Fターム (20件)：
5F102GB04 ,  5F102GB05 ,  5F102GC07 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC16
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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