特許
J-GLOBAL ID:201203082804394742

磁気異方性制御方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  小林 良博 ,  河野上 正晴
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-269311
公開番号(公開出願番号):特開2012-119565
出願日: 2010年12月02日
公開日(公表日): 2012年06月21日
要約:
【課題】新しいスピン機能素子への展開が可能な、省電力で動作可能な新しい磁化配向制御方法の基本要素技術を提供する。【解決手段】単結晶強誘電体層上に、強磁性体層をエピタキシャル成長させたヘテロ構造体を準備し、強誘電体層に電圧を印加して強誘電体層と強磁性体層との接合界面に生じる歪みによって、強磁性体の磁気異方性を変化させる、磁気異方性制御方法。【選択図】図2
請求項(抜粋):
単結晶強誘電体層上に、強磁性体層をエピタキシャル成長させたヘテロ構造体を準備し、該強誘電体層に電圧を印加して該強誘電体層と該強磁性体層との接合界面に生じる歪みによって、該強磁性体の磁気異方性を変化させる、磁気異方性制御方法。
IPC (5件):
H01F 10/28 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01F 41/30 ,  H01F 10/14
FI (4件):
H01F10/28 ,  H01L27/10 447 ,  H01F41/30 ,  H01F10/14
Fターム (8件):
4M119AA01 ,  4M119CC08 ,  4M119JJ01 ,  4M119JJ05 ,  5E049AA01 ,  5E049BA30 ,  5E049DB10 ,  5E049FC10
引用特許:
審査官引用 (6件)
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