特許
J-GLOBAL ID:201203082836446817
配線基板の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
近島 一夫
, 阪本 善朗
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-153681
公開番号(公開出願番号):特開2012-018956
出願日: 2010年07月06日
公開日(公表日): 2012年01月26日
要約:
【課題】コンタクトホールを、生産性良く、低コストで、且つ信頼性良く製造する配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】基板1に第1電極3及び第2電極7が形成される。第1電極3及び第2電極7を連通するように形成された微細穴の側壁部及び底部に、導電膜9を形成してコンタクトホール2を形成する。この配線基板100の製造する際に、微細穴を形成する微細穴形成工程において、微細穴の側壁部の開口端側に相対的に浅い溝からなる第1溝領域4が形成され、微細穴の側壁部の底部側に相対的に深い溝からなる第2溝領域5が形成される。このように区分けした溝領域4,5のうち、第2溝領域5に導電性材料を含有する液体を付与して、導電膜9を形成する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板をエッチングして凹部を形成するエッチング工程と前記凹部の側壁を保護する保護層を形成するデポジション工程とを交互に繰り返して、前記基板に第1電極を底部とする微細穴を形成する微細穴形成工程と、
前記基板の表面から前記微細穴の側壁部の開口端側に亘って第2電極をドライプロセスにより形成する電極形成工程と、
前記微細穴の側壁部に導電性材料を含有した液体を液体吐出ヘッドにより吐出する液体吐出工程と、
前記液体を固化させて前記第1電極と前記第2電極とを導通させる導電膜を形成する導電膜形成工程と、を備え、
前記微細穴形成工程では、前記側壁部の開口端側の部分であって、周方向に沿う複数の溝からなる第1溝領域と、前記側壁部の底部側の部分であって、前記第1溝領域の溝よりも深くかつ周方向に沿う複数の溝からなる第2溝領域とが前記エッチング工程により形成され、
前記液体吐出工程では、前記第2溝領域に前記液体吐出ヘッドにより前記液体を吐出することを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (3件):
H01L 23/52
, H01L 21/320
, H01L 21/306
FI (2件):
H01L21/88 J
, H01L21/302 104C
Fターム (39件):
5F004BB13
, 5F004CA01
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004DA00
, 5F004DA18
, 5F004DB01
, 5F004EA06
, 5F004EA13
, 5F004EA28
, 5F004EB01
, 5F033HH13
, 5F033JJ13
, 5F033JJ14
, 5F033JJ18
, 5F033KK08
, 5F033MM30
, 5F033NN06
, 5F033NN11
, 5F033NN29
, 5F033PP15
, 5F033PP20
, 5F033PP26
, 5F033QQ07
, 5F033QQ09
, 5F033QQ12
, 5F033QQ14
, 5F033QQ21
, 5F033QQ28
, 5F033QQ37
, 5F033QQ47
, 5F033QQ73
, 5F033QQ92
, 5F033QQ94
, 5F033RR21
, 5F033SS11
, 5F033TT07
, 5F033WW10
, 5F033XX34
引用特許:
出願人引用 (7件)
-
半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-235385
出願人:キヤノン株式会社
-
半導体装置の作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-311655
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
半導体貫通電極形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-124122
出願人:パナソニック株式会社
-
基板構造及びその形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-218319
出願人:三星電子株式会社
-
半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-204353
出願人:三洋電機株式会社, 三洋半導体株式会社, 三洋半導体製造株式会社
-
貫通孔配線の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-245987
出願人:松下電工株式会社
-
特開昭63-278368
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審査官引用 (7件)
-
半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-235385
出願人:キヤノン株式会社
-
半導体装置の作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-311655
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
半導体貫通電極形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-124122
出願人:パナソニック株式会社
-
基板構造及びその形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-218319
出願人:三星電子株式会社
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半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-204353
出願人:三洋電機株式会社, 三洋半導体株式会社, 三洋半導体製造株式会社
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貫通孔配線の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-245987
出願人:松下電工株式会社
-
特開昭63-278368
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