半導体装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：須藤克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-204353
公開番号（公開出願番号）：特開2008-034508
出願日： 2006年07月27日
公開日（公表日）： 2008年02月14日
要約：

【課題】生産効率が高く、信頼性及び歩留まりの高い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1の裏面研削(バックグラインド)を行い、半導体基板1を薄くする。次に、裏面研削で生じたダメージ層7の除去をこの段階では行わずに、レジスト層8を半導体基板の裏面に選択的に形成する。次に、レジスト層8をマスクとして半導体基板1をエッチングし、ビアホール9を形成する。次に、当該エッチング工程で利用したエッチング装置内に半導体基板1を配置したまま、ビアホール9形成と連続的にレジスト層8を除去する。このように、エッチング工程とその後のアッシング工程とを一つの処理装置で連続的に行う。次に、半導体基板1の裏面のダメージ層7の除去及び、ビアホール9の内壁面の平坦化工程についても、上記アッシング工程と同一装置で連続的に行う。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面上に選択的にマスク層を形成する工程と、前記マスク層をマスクとして、エッチング装置で前記半導体基板をドライエッチングし、前記半導体基板に開口部を形成する工程と、前記エッチング装置内に前記半導体基板を配置したまま、前記エッチング装置を用いて前記マスク層を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 23/12 , H01L 21/320 , H01L 23/52

FI (2件)：

H01L23/12 501P , H01L21/88 J

Fターム (55件)：

5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004BB18 , 5F004BD01 , 5F004DA00 , 5F004DA18 , 5F004DA26 , 5F004EB01 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH23 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ23 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033MM30 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN32 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033PP27 , 5F033QQ07 , 5F033QQ08 , 5F033QQ12 , 5F033QQ34 , 5F033QQ46 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR15 , 5F033SS11 , 5F033SS25 , 5F033SS27 , 5F033TT07 , 5F033VV07

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体チップの製造方法および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-183606 出願人：キヤノン株式会社

審査官引用 (4件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-179484 出願人：三洋電機株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-249880 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-215657 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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