特許
J-GLOBAL ID：200903063046762670

貫通孔配線の製造方法

発明者：
田浦 巧

田浦 巧 について

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鎌倉 將有

鎌倉 將有 について

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城石 久徳

城石 久徳 について

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友井田 亮

友井田 亮 について

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山内 規裕

山内 規裕 について


出願人/特許権者：
松下電工株式会社

松下電工株式会社 について


代理人 (3件)： 板谷 康夫 ,  田口 勝美 ,  水田 愼一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-245987
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059796
出願日： 2005年08月26日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：
【課題】貫通孔配線の製造方法において、配線材料の密着力が向上した信頼性の高い配線を容易に実現可能とする。【解決手段】半導体基板1を厚み方向に加工して半導体基板1の一方の表面1aと他方の表面1bとに開口を有する貫通孔2を形成し、その後、半導体基板1の貫通孔2内壁面を含む表面に絶縁層3を形成し、絶縁層3の形成された貫通孔2内部にめっきによってめっき金属を充填して半導体基板の貫通孔配線を製造する。絶縁層3の形成の後に、シード層となる通電用の金属層4を一方の表面1aに形成すると共に、半導体基板1の他方の表面1bに開口する絶縁層3の形成された貫通孔2の開口近傍内壁面に内壁金属層5aを形成し、半導体基板1の他方の表面1bに対向離間させて配置しためっき用電極Eと通電用金属層4との間に通電してボトムアップ方式のめっきを行う。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体基板を厚み方向に加工して当該半導体基板の一方の表面と他方の表面とに開口を有する貫通孔を形成し、前記貫通孔を形成した半導体基板の貫通孔内壁面を含む表面に絶縁層を形成し、前記絶縁層で絶縁された貫通孔内部にめっきによってめっき金属を充填して配線を形成する半導体基板の貫通孔配線の製造方法において、 前記半導体基板に前記貫通孔と絶縁層とを形成した後に、当該半導体基板の絶縁層の形成された一方の表面にシード層となる通電用の金属層を形成すると共に、他方の表面に開口する前記絶縁層の形成された貫通孔の開口近傍内壁面に金属層を形成し、 前記金属層を形成した後に、前記他方の表面に対向離間して配置させためっき用電極と前記通電用の金属層との間に通電して前記貫通孔内部に前記一方の表面側から前記他方の表面側に向けて順次めっき金属を充填していくことを特徴とする貫通孔配線の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/320 ,  H01L 23/52
FI (1件)：
H01L21/88 J
Fターム (22件)：
5F033GG02 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033MM30 ,  5F033NN05 ,  5F033NN32 ,  5F033NN40 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS25 ,  5F033SS27 ,  5F033TT07 ,  5F033XX14
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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