特許
J-GLOBAL ID：201203083937781079

半導体発光装置及びその製造方法

発明者：
新井 真

新井 真 について


出願人/特許権者：
シチズン電子株式会社

シチズン電子株式会社 について

, 
シチズンホールディングス株式会社

シチズンホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 高宗 寛暁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-211000
公開番号（公開出願番号）：特開2012-069577
出願日： 2010年09月21日
公開日（公表日）： 2012年04月05日
要約：
【課題】 従来のLED発光装置は発光効率が良く、発光特性の揃った(1ビン化された)LED発光装置を簡単に量産することが困難だった。【解決手段】 回路基板2にLED3を実装し、LED3の側面に光散乱層7を形成し、LED3と光散乱層7の上面に蛍光体層5aを形成したLED発光装置10であって、LED3の上面と、光散乱層7の上面とがほぼ同一面を形成している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
回路基板上に半導体発光素子を実装し、該半導体発光素子の側面に光散乱層を形成し、前記半導体発光素子と前記光散乱層の上面に蛍光体層を形成した半導体発光装置であって、前記半導体発光素子の上面と、前記光散乱層の上面とがほぼ同一面を形成していることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
H01L 33/50 ,  H01L 33/52
FI (2件)：
H01L33/00 410 ,  H01L33/00 420
Fターム (9件)：
5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041DA04 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA19 ,  5F041DA43 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11
引用特許：
審査官引用 (5件)
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