特許
J-GLOBAL ID:201203083985877037
低ガス透過性シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-196667
公開番号(公開出願番号):特開2012-052045
出願日: 2010年09月02日
公開日(公表日): 2012年03月15日
要約:
【課題】末端にケイ素原子結合アリール基とアルケニル基を有する低ガス透過性を示す光半導体封止用シリコーン樹脂組成物を提供し、信頼性の高い光半導体装置を提供する。【解決手段】(A)平均組成式(1)で示され、1分子中に2個以上のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサン、 (R1SiO3/2)a(R22SiO)b(R1R2R3SiO1/2)c (1)(R1はアリール基、R2は1価炭化水素基、R3はアルケニル基、aは0.3〜0.9、bは0〜0.5、cは0.05〜0.7の正数、a+b+c=1.0)(B)平均組成式(2)で示され、1分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、 R1dR2eHfSiO(4-d-eーf)/2 (2)(R1、R2は上記と同じ、dは0.6〜1.5、eは0〜0.5、fは0.4〜1.0の正数、d+e+f=1.0〜2.5)(C)付加反応用触媒を含有してなる低ガス透過性シリコーン樹脂組成物。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(A)下記平均組成式(1)で示され、1分子中に2個以上のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサン 20〜95質量部、
(R1SiO3/2)a(R22SiO)b(R1R2R3SiO1/2)c (1)
(式中、R1は独立に炭素数6〜14のアリール基、R2は独立にR1と同じ又は異なる、非置換もしくは置換の1価炭化水素基であり、R3は炭素数2〜8のアルケニル基であり、aは0.3〜0.9、bは0〜0.5、cは0.05〜0.7の正数であり、但しa+b+c=1.0である。)
(B)下記平均組成式(2)で示され、1分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン 0.01〜40質量部、
R1dR2eHfSiO(4-d-eーf)/2 (2)
(式中、R1、R2は上記と同じであり、dは0.6〜1.5、eは0〜0.5、fは0.4〜1.0の正数であり、但しd+e+f=1.0〜2.5である。)
(C)付加反応用触媒 触媒量
を含有してなることを特徴とする低ガス透過性シリコーン樹脂組成物。
IPC (4件):
C08L 83/07
, C08L 83/05
, H01L 23/29
, H01L 23/31
FI (4件):
C08L83/07
, C08L83/05
, H01L23/30 R
, H01L23/30 F
Fターム (23件):
4J002CP04X
, 4J002CP053
, 4J002CP14W
, 4J002DD077
, 4J002EC079
, 4J002EE049
, 4J002EX018
, 4J002EX046
, 4J002EX068
, 4J002EX078
, 4J002EX088
, 4J002EZ049
, 4J002FD146
, 4J002FD157
, 4J002FD209
, 4J002FD348
, 4J002GQ05
, 4M109AA01
, 4M109EA10
, 4M109EB04
, 4M109EB12
, 4M109EC20
, 4M109GA01
引用特許: