特許

J-GLOBAL ID：201203084092066622

炭化珪素基板、半導体装置およびSOIウエハ

発明者： 川本 聡 ,  中村 将基
出願人/特許権者： 三井造船株式会社 ,  株式会社アドマップ
代理人 (2件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-153730
公開番号（公開出願番号）：特開2012-018960
出願日： 2010年07月06日
公開日（公表日）： 2012年01月26日
要約：

【課題】高周波損失が少なく且つ優れた放熱性を示す炭化珪素基板を提供する。【解決手段】炭化珪素基板Sは、多結晶炭化珪素からなる第1の炭化珪素層1と、第1の炭化珪素層の表面上に形成された多結晶炭化珪素からなる第2の炭化珪素層2とを備え、第2の炭化珪素層2は、第1の炭化珪素層1より小さな高周波損失を有し、第1の炭化珪素層1は、第2の炭化珪素層2より大きな熱伝導率を有し、第2の炭化珪素層2の表面側における周波数20GHzでの高周波損失が2dB/mm以下であり、熱伝導率が200W/mK以上である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

多結晶炭化珪素からなる第1の層と、 前記第1の層の表面上に形成された多結晶炭化珪素からなる第2の層と を備え、 前記第2の層は、前記第1の層より小さな高周波損失を有し、前記第1の層は、前記第2の層より大きな熱伝導率を有することを特徴とする炭化珪素基板。

IPC (3件)：

H01L 23/15 ,  H01L 27/12 ,  H01L 23/36

FI (3件)：

H01L23/14 C ,  H01L27/12 H ,  H01L23/36 C

Fターム (4件)：

5F136BB01 ,  5F136DA31 ,  5F136FA17 ,  5F136FA82

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 炭化珪素基板、半導体装置、配線基板及び炭化珪素の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-108815   出願人：国立大学法人東北大学, 三井造船株式会社
• 熱伝導層を有する薄膜層型半導体構造体
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-559589   出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク