熱伝導層を有する薄膜層型半導体構造体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外7名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-559589
公開番号（公開出願番号）：特表2002-525839
出願日： 1999年07月08日
公開日（公表日）： 2002年08月13日
要約：

【要約】本発明は、中間層3によって支持基板1から分離された半導体表面層2を備え、前記中間層3が、前記支持基板から前記半導体表面層を電気的に絶縁する多層構造を有する薄膜層型半導体構造体を提供する。前記中間層は、前記半導体表面層との間に良好な電気的界面特性を有し、かつ前記半導体表面層2から形成される1つまたは複数の電子デバイスの正常な動作を実現するために十分な熱伝導性を有する少なくとも一つの第1層を備えている。前記中間層は、前記第1層と前記支持基板との間に配置された低誘電率の第2絶縁層をさらに備えていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

中間層(3,13,23)によって支持基板(1,11,21)から分離された半導体表面層(2,12,22)を備え、前記中間層(3,13,23)が、前記支持基板から前記半導体表面層を電気的に絶縁する多層構造を有し、前記半導体表面層との間に良好な電気的界面特性を有し、かつ前記半導体表面層(2,12,22)から形成される1つまたは複数の電子デバイスの正常な動作を実現するために十分な熱伝導性を有する少なくとも1つの第1層を備えている薄膜層型半導体構造体において、前記中間層は、前記第1層と前記支持基板との間に配置された低誘電率の第2絶縁層をさらに備えていることを特徴とする半導体構造体。

IPC (2件)：

H01L 27/12 , H01L 21/762

FI (2件)：

H01L 27/12 B , H01L 21/76 D

Fターム (13件)：

5F032AA04 , 5F032AA06 , 5F032AA07 , 5F032AA09 , 5F032AA45 , 5F032CA05 , 5F032CA18 , 5F032DA02 , 5F032DA07 , 5F032DA13 , 5F032DA53 , 5F032DA60 , 5F032DA71

引用特許：

審査官引用 (10件)

集積装置を製造するための半導体材料のウェハ、およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-327021 出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル.
特表平5-503812
特開平2-058873

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