特許
J-GLOBAL ID：200903002042801079
炭化珪素基板、半導体装置、配線基板及び炭化珪素の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
池田 憲保
, 福田 修一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-108815
公開番号（公開出願番号）：特開2009-260117
出願日： 2008年04月18日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：
【課題】電子素子等のデバイスを実装するには、炭化珪素基板の高周波損失が大きく、実際には電子素子を炭化珪素基板に実装できなかった。【解決手段】20GHzにおける高周波損失が2.0dB/mm以下の炭化珪素基板であれば、電子素子を実装して十分に動作させることができることを見出し、2.0dB/mm以上の高周波損失特性を有する炭化珪素基板を2000°C以上で加熱する。この熱処理により20GHzにおける高周波損失を2.0dB/mm以下にすることができた。また、ヒーターに窒素を流さないで、CVDにより炭化珪素基板を作製することによって高周波損失を2.0dB/mm以下にすることができた。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
周波数20GHzにおける損失が2dB/mm以下であることを特徴とする炭化珪素基板。
IPC (5件)：
H01L 23/15
, H01L 23/12
, H01L 21/20
, H05K 1/03
, H01L 21/324
H01L23/14 C
, H01L23/12 301
, H01L21/20
, H05K1/03 610D
, H01L21/324
5F152LL03
, 5F152LP07
, 5F152MM01
, 5F152MM18
, 5F152NN02
, 5F152NN05
, 5F152NQ02
, 5F152NQ03
出願人引用 (3件)
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研磨パッド処理用SiC基板
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-283923
出願人：三井造船株式会社, 株式会社アドマップ
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特願2007-184896号
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高周波用配線基板
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-185931
出願人：京セラ株式会社
審査官引用 (5件)
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