特許
J-GLOBAL ID：201203084596900682
光電変換素子
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： 藤原 康高
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-218681
公開番号（公開出願番号）：特開2012-216755
出願日： 2011年09月30日
公開日（公表日）： 2012年11月08日
要約：
【課題】 従来の光電変換素子では吸収できない長波長領域の光を吸収できる光電変換素子を提供することである。【解決手段】 実施形態の光電変換素子は、第1の金属層と、半導体層と、第2の金属層と、が積層されて構成された光電変換層を含む光電変換素子であって、当該第1の金属層および当該第2の金属層の少なくとも一方の層が、複数の貫通口を有する金属薄膜、もしくは当該半導体層上に互いに離間した金属製のドットを複数個有する金属薄膜のいずれかである。また、当該光電変換層内に、p層、n層を形成する不純物とは異なる不純物を含む層が、当該金属薄膜から5nm以内の位置に存在している。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
第1の金属層と、半導体層と、第2の金属層と、が積層されて構成された光電変換層を
含む光電変換素子であって、
前記第1の金属層および前記第2の金属層の少なくとも一方の層が、
複数の貫通口を有する金属薄膜、もしくは前記半導体層上に互いに離間した金属製のド
ットを複数個有する金属薄膜のいずれかであり、
前記光電変換層内に、p層、n層を形成する不純物とは異なる不純物を含む層が、前記
金属薄膜から5nm以内の位置に存在する光電変換素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (16件)：
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151AA08
, 5F151AA09
, 5F151AA10
, 5F151CB19
, 5F151CB22
, 5F151CB24
, 5F151CB27
, 5F151DA03
, 5F151DA10
, 5F151FA06
, 5F151FA10
, 5F151FA15
, 5F151FA16
, 5F151GA04
引用特許：
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