半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-190754
公開番号（公開出願番号）：特開2012-049364
出願日： 2010年08月27日
公開日（公表日）： 2012年03月08日
要約：

【課題】より低コストで、より信頼性の高いMIMキャパシタを有する、より信頼性の高い半導体装置、およびその製造方法を提供する。【解決手段】本製造方法は、半導体基板SUBを準備する工程と、半導体基板SUBの一方の主表面上に、アルミニウム層AC1を有する第1の金属電極LEL1と、第1の金属電極LEL1上の誘電体層DECと、誘電体層DEC上の第2の金属電極UELとを形成する工程とを備える。第1の金属電極LEL1を形成する工程においては、表面がRmax<80nm、Rms<10nm、Ra<9nmの関係を満たすように、アルミニウム層AC1が形成される。第1の金属電極LEL1を形成する工程には、少なくとも1層の第1のバリア層T1を形成する工程と、第1のバリア層T1上に、アルミニウム層AC1を形成する工程と、アルミニウム層AC1を構成する結晶を再結晶化する工程とを含んでいる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記主表面上に形成された第1の金属電極と、前記第1の金属電極上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成された第2の金属電極とを備える半導体装置であって、前記第1の金属電極は、少なくとも1層の第1のバリア層と、前記第1のバリア層上に形成された、アルミニウムを含む第1のアルミニウム層とを含んでおり、前記第1のアルミニウム層の表面が、Rmax<80nm、Rms<10nm、Ra<9nmの関係を満たす半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/320 , H01L 23/52

FI (4件)：

H01L27/04 C , H01L21/88 K , H01L21/88 N , H01L21/88 R

Fターム (36件)：

5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH18 , 5F033HH33 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK18 , 5F033KK33 , 5F033LL07 , 5F033MM05 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP17 , 5F033PP22 , 5F033PP23 , 5F033QQ48 , 5F033QQ75 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033VV10 , 5F033WW00 , 5F033WW03 , 5F033XX01 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC18 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-046387 出願人：株式会社日立製作所
MIMコンデンサ構造体およびその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-540452 出願人：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト
特開平3-225822

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