ポリマー、フォトレジスト組成物、およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人センダ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-000213
公開番号（公開出願番号）：特開2012-149253
出願日： 2012年01月04日
公開日（公表日）： 2012年08月09日
要約：

【課題】電子デバイス製造におけるネガティブトーン現像プロセスを用いて微細パターンの形成を可能にするフォトグラフィ法を提供。【解決手段】特定のアセタール部分を有する単位を含むポリマー、およびこのポリマーを含むフォトレジスト組成物、前記フォトレジスト組成物でコーティングされた基体、およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法により、電子デバイスの製造においてフォトグラフィ処理における厚さ損失の低減、並びにパターン崩壊マージン、解像度およびフォトスピードの向上をもたらしうることが見いだされた。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

下記一般式(I):

IPC (2件)：

C08F 20/28 , G03F 7/038

FI (2件)：

C08F20/28 , G03F7/038 601

Fターム (31件)：

2H125AF17P , 2H125AF38P , 2H125AH05 , 2H125AJ12X , 2H125AJ65X , 2H125AL03 , 2H125AL11 , 2H125AM23P , 2H125AN39P , 2H125AN42P , 2H125AN51P , 2H125BA02P , 2H125BA26P , 2H125CA12 , 2H125CC01 , 2H125CC15 , 2H125FA05 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100BA02P , 4J100BA11Q , 4J100BA15P , 4J100BA15Q , 4J100BA40Q , 4J100BC53Q , 4J100BC58P , 4J100BC58Q , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (7件)

レジスト用重合体、レジスト組成物、および、パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-257911 出願人：三菱レイヨン株式会社
特開昭57-181524
特開昭58-065411

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